mod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_countermod_vvisit_counter
mod_vvisit_counterToday81
mod_vvisit_counterYesterday287
mod_vvisit_counterThis week1202
mod_vvisit_counterLast week1528
mod_vvisit_counterThis month4861
mod_vvisit_counterLast month2272
mod_vvisit_counterAll days239921
RRAM เทคโนโลยีใหม่ พัฒนาฮาร์ดดิสก์ให้เล็กได้เท่าแสตมป์ PDF พิมพ์ อีเมล
วันพุธที่ 24 ธันวาคม 2014 เวลา 05:54

RRAM เทคโนโลยีใหม่ พัฒนาฮาร์ดดิสก์ให้เล็กได้เท่าแสตมป์

ทุกคนน่าจะคุ้นเคยกันดีกับ SSD ที่ใช้สำหรับเก็บข้อมูลไปบ้างแล้ว แม้ว่าบางคนที่ยังไม่เคยได้ใช้ แต่ก็น่าจะพอคุ้นหูคุ้นตากันดีกับจุดเด่นที่ความเร็ว ไม่ว่าจะเป็นการเปิดเครื่อง บูทเข้าระบบหรือเปิดไฟล์ก็ตาม แต่เป็นที่ทราบกันดีว่า จุดอ่อนของ SSD นี้อยู่ที่ความจุค่อนข้างต่ำ เพราะถ้าเทียบราคากันกับ HDD แล้ว ความจุนั้นต่างกันหลายขุมทีเดียว ดังนั้นจึงมีการพัฒนาเพื่อให้ SSD มีความจุมากขึ้นและยังคงความเร็วอยู่ได้ เหมือนกับในเวลานี้ ในเวลานี้มี 3D NAND ที่นำมาใช้กับ SSD จากค่าย Samsung 350 Evo รุ่นใหม่ ที่จะทำให้ความจุเพิ่มมากขึ้นกว่าเดิม

crossbar3

 

ว่ากันที่เทคโนโลยีใหม่ที่ได้รับการพัฒนามาตั้งแต่ในปี 2010 ด้วยการผลิตในแบบ Crossbar ที่ใช้การทำงานเรียกว่า “Resistive Random Access Memory” ซึ่งหมายถึงการเข้าถึงข้อมูล แม้ในสภาวะที่ไม่มีไฟเลี้ยงอยู่ก็ตาม ข้อมูลบนแรมนั้นจะไม่หายไป (Non-Volatile) ต่างจากการทำงานของ DDR RAM ที่จะลบข้อมูลทุกอย่าง เมื่อปิดเครื่องไปแล้ว วิธีการทำงานของ RRAM จะซ้อนกันเป็นโครงสร้างเหมือนลูกบาศ์ก ทำให้พื้นที่ถูกขยายไปในแบบสามมิติ ดังนั้นจึงทำให้เพิ่มความจุได้ในระดับ Terabyte ภายในชิปเดียว แต่อาจจะมีปัญหาอยู่บ้างคือ การติดตั้งหน่วยความจำมากๆ ในพื้นที่จำกัดเท่าเดิม แต่อาจส่งผลทำให้เกิดกระแสรั่วไหล ทำให้ใช้พลังงานเพิ่มขึ้น แต่ไม่ได้ส่งผลเสียต่อไดรฟ์ ดังนั้นในภาพรวมของ Crossbar นั้นคือ การนำ Memory Array มาวางในแนวขนานหลายๆ ชุดซ้อนรวมกัน เพื่อให้เกิดพื้นที่มากที่สุดและใช้พลังงานเพิ่มขึ้นเช่นกัน

สิ่งเหล่านี้คือข้อจำกัดของ Crossbar แต่วิศวกรพบวิธีแก้ปัญหาในการใช้ 1 ทรานซิสเตอร์ ต่อเซลล์หน่วยความจำ หรือ 1TnR ซึ่งนั่นจะทำให้สามารถใส่เซลล์หน่วยความจำได้มากถึง 2000 เซลล์ต่อหนึ่งทรานซิสเตอร์เลยทีเดียว ด้วยการออกแบบนี้ ช่วยลดปัญหาการรั่วไหลของกระแสได้ดียิ่งขึ้น ซึ่งนั่นก็ทำให้ไดรฟ์มีความจุมากขึ้นและมีความทนถึง 100 ล้าน Cycle และสลับโหมดการทำงานปิดและเปิดได้ใน 50 นาโนวินาที ในรูปแบบดังกล่าวนี้ จึงทำให้มีความทนทานมากพอสำหรับการทำงานของผู้ใช้ ในแง่ของเทคโนโลยี RRAM นี้ ทำให้เราได้ความจุขนาดใหญ่ภายใต้ พื้นที่เล็กลง ซึ่งอาจเล็กลงกว่า V-NAND และ 3D NAND ด้วยซ้ำ โดยแนวโน้มของสินค้าที่ใช้เทคโนโลยีดังกล่าวนี้ อาจจะไม่ได้เห็นเร็วนัก เพราะอาจจะยังไม่ได้เข้าในส่วนของสินค้า Retail กล่าวคืออาจจะได้พบกันในช่วง ปลายปี 2015

ที่มา : digitaltrends